Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Длина волны излучения, нм | 532±1 |
| Рабочий режим | Electro-optic (EOM) - электрооптическая модуляция добротности |
| Нестабильность мощности (RMS, %) | <1, <2 |
| Длительность импульса, нс | <8, <15 |
| Частота повторений импульса | 1 гЦ - 25 кГц |
| Энергия единичного импульса, мкДж | 0.06~0.5 |
| Расходимость пучка, мрад | <3 |
| Апертурный диаметр пучка, мм | ~1 |
| M2 | <1.2 |
| Время выхода на режим, мин | <15 |
| Диапазон рабочих температур, °C | +15 ~ +30 |
| Напряжение питания, В | 90~265 |
| Срок наработки на отказ, ч | 10000 |
| Габаритные размеры излучателя, мм | 242х210х112.5 |
| Габаритные размеры блока питания, мм | 367х264х102 |
Купить Импульсный твердотельный лазер 532 нм, EO-532-G низкой цене в Москве и Санкт-Петербурге или с доставкой в любой регион России. Товар в наличии на складе. Итоговая стоимость зависит от объема закупки и согласовывается с менеджером после оформления заказа. Свяжитесь с нами, если вам необходимы подробные сведения о товаре или консультация по применению, характеристикам и т.д.
Информация на сайте носит справочный характер и не является офертой. Производитель без дополнительных уведомлений и по своему усмотрению может менять внешний вид, комплектацию, страну производства и характеристики товара.