Технические характеристики
Параметр | Значение |
---|---|
Длина волны излучения, нм | 532±1 |
Рабочий режим | Q-Swtiched – импульсный с модуляцией добротности |
Поперечная мода | ~TEM00 |
Средняя оптическая мощность, мВт | ~3~180 |
Пиковая оптическая мощность, кВт | 0.2~10 |
Нестабильность мощности (RMS, %) | <1, <3, <5 |
Длительность импульса, нс | ~0.5, 3~5 |
Частота повторений импульса | FIX: 1 Гц - 4 кГц, EXT: 1 Гц - 4 кГц, QCW: 5 - 15 кГц |
Энергия единичного импульса, мкДж | 1~10 |
Расходимость пучка, мрад | <1.5 |
Апертурный диаметр пучка, мм | ~1.2 |
М2 | <1.5 |
Время выхода на режим, мин | <10 |
Диапазон рабочих температур, °C | +10 ~ +35 |
Напряжение питания, В | 90~265 |
Срок наработки на отказ, ч | 10000 |
Габаритные размеры излучателя, мм | 110х29х33 |
Габаритные размеры блока питания, мм | 275х145х104 |
Купить Импульсный твердотельный лазер 532 нм, MPL-T-532 низкой цене в Москве и Санкт-Петербурге или с доставкой в любой регион России. Товар в наличии на складе. Итоговая стоимость зависит от объема закупки и согласовывается с менеджером после оформления заказа. Свяжитесь с нами, если вам необходимы подробные сведения о товаре или консультация по применению, характеристикам и т.д.
Информация на сайте носит справочный характер и не является офертой. Производитель без дополнительных уведомлений и по своему усмотрению может менять внешний вид, комплектацию, страну производства и характеристики товара.